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CSPSD2026报告前瞻|中国科学院苏州纳米所张晓东：氧化镓垂直型晶体管 …
Jun 9, 2026 · 核心提示：6月25-27日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办 …
2026VLSI IBM 2nm微缩方案：Nanostack 垂直堆叠晶体管 + Ru 互 …
Jul 4, 2026 · 系统介绍了单片堆叠场效应管（Monolithic Stacked FET）这一先进晶体管架构：它将 nMOS 与 pMOS 分别堆叠在上下 …
Nature重磅：清华大学任天令团队成功制备垂直沟道亚1纳米超短栅长晶体管
Mar 12, 2022 · 如何能够在晶体管尺寸上取得飞跃，将现实重新拉回摩尔定律的预测轨迹，是芯片产业十多年来的梦想。 任天令教授 …
买不到高端光刻机？中科院另辟蹊径：国产垂直堆叠芯片问世，稳了|射频|晶体管…
Aug 10, 2026 · 此次问世的SGBT垂直晶体管，核心亮点就是用全新材料架构，一次性破解了行业沉寂半世纪的两大技术难题。 早在上 …
科研人员研发出互补单晶硅垂直沟道晶体管架构----中国科学院
Sep 10, 2025 · 语音播报 近日，中国科学院微电子研究所研究人员基于自主研发的垂直沟道技术，研发出优于互补场效晶体管架 …
imec公布最新工艺路线图：0.3nm将于2038年问世！_腾讯新闻
7月1日，比利时微电子研究中心（imec）正式公布2026年版半导体制程技术蓝图，这份由台积电、英特尔、英伟达、AMD、三星 …
我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术—新闻—科学网
Feb 20, 2024 · 此外，在发表的概念验证工作中，该研究团队制备的超陡垂直晶体管表现出强大性能，包括电流开关比高于8个数量级 …
微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道晶体管（CVFET）
Aug 27, 2025 · CFET技术通过将NMOS与PMOS器件垂直堆叠，改变传统平面工艺或FinFET/GAA的水平布局模式，在更小的空间内 …
IC-SRDI2026：0.3埃米？imec发布2026先进制程路线图
报告明确CFET垂直堆叠晶体管是突破平面微缩瓶颈的核心方案，IBM同期0.7nm实验室成果与路线参数高度匹配，散热、成本、三维 …
中国团队成功研制1nm物理沟道长度垂直晶体管，芯片性能或将进入新 …
高精度光刻和 刻蚀工艺 水平的限制，正是制约晶体管沟道长度进一步缩短的原因。 有没有可能避免使用这些越来越费力不讨好的技术 …
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